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  • 半導體關鍵材料

    ●  公司掌握高純濺射靶材的一條龍生產核心技術,在河南鄭州本部已經建成高純濺射靶材生產線,產品工藝達到國際領先水平。

    ●  公司鄭州占地200畝(一期50畝)的集成電路產業園正在建設中,未來將投產新的靶材產線。

    ●  2021年公司完成對新加坡某半導體核心材料制造商的全資并購,靶材產品進入臺積電、格羅方德等優質客戶。

        ·  國產替代;

        ·  知名廠商認證通過;

      • Ru及其合金靶材

      1.集成電路阻擋層;2.PMOS器件的跡電極材料;3.動態隨機存儲器DRAM和鐵電隨機存取存儲器FRAM中電容的電極材料;4.應用在磁性隨機存儲器MRAM中;5.硬盤記錄層不可或缺的底層材料。

      • 氧化鎂靶

      • 氧化鎂具有高溫熱穩定性、高介電性、低介電損耗及多種襯底晶格匹配良好等優點,是作為存儲芯片的主要原料之一。
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      • 鐵鈷硼靶

      • MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器,其主體結構由三層結構的磁隧道結構成:自由層,固定層和氧化層,其原理是通過改變固定層和自由層的磁矩方向性實現存儲數據。其中自由層的材料是CoFeB。
      • Mg靶

      • 鎂是近年來可以制備并能夠在自然環境中長期保存的輕質金屬,金屬鎂在各個行業內的應用也越來越廣泛,很多國防產品、民用產品都在不同程度上用到了金屬鎂Mg靶材是作為存儲芯片的主要原料之一。
      • NiPt靶

      • 用于制備NiPt-硅化物觸頭,該觸頭是45nm技術節點以后最常用的硅化物。被應用于肖特基二極管(SBD)、互補金屬氧化物半導體器件(CMOS)、場效應晶體管(FET)和集成電路等領域。
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